JSSIA

第三代半导体

国内首条6英寸SiC芯片生产线完成技术调试【2017-12-26】
中国首条8英寸硅基氮化镓生产线投产【2017-11-10】
走过疑虑 SiC器件终迎春天【2017-07-11】
SiC功率半导体市场将开始高速发展【2016-06-24】
台积电发力“硅基氮化镓”元件受托业务【2016-06-22】
氮化镓组件将为功率半导体市场带来一阵春风【2015-10-09】
ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET 【2015-06-26】
中航（重庆）微电子研制成功8英寸600V硅基氮化镓功率器件【2015-03-09】
中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片【2015-01-13】
SiC功率半导体将在2016年形成市场【2014-08-06】

首页上页共有208条记录/每页18条第12/12页