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镓仁半导体成功制备出3英寸晶圆级氧化镓单晶衬底
 2024-7-18
 

据镓仁半导体官微消息,2024年7月,杭州镓仁半导体有限公司成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底。

 

据悉,在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中,(010)衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先,(010)衬底热导率最高,有利于提升功率器件性能;第二,(010)衬底具有较快的外延生长速率;第三,基于(010)衬底制备的器件具有更优异的性能。

 

目前,镓仁半导体推出晶圆级(010)氧化镓单晶衬底产品,该产品面向科研市场,满足科研领域对(010)衬底的需求,促进业内产学研协同合作。

 

资料显示,杭州镓仁半导体有限公司主要从事氧化镓等半导体单晶材料的研发与生产。

 

(JSSIA整理)