4月19日，南京大学网站发布《成果推介：大尺寸碳化硅激光切片设备与技术》。该研究成果显示，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。

传统多线切割技术在碳化硅晶锭切片加工中，由于碳化硅的高硬度和脆性，导致加工过程中曲翘开裂等问题频发，材料损耗率高达75%，且加工周期长，产率低，不仅增加了制造成本，还限制了碳化硅器件制造技术的发展。

南京大学研发的大尺寸碳化硅激光切片设备采用激光切片技术，显著降低了损耗并提高了产率。以单个20毫米SiC晶锭为例，采用激光切片技术可生产的晶圆数量是传统线锯技术的两倍以上。此外，激光切片生产的晶圆几何特性更好，单片晶圆厚度可减少到200um，进一步增加了晶圆数量。

该项目已完成大尺寸原型激光切片设备的研发，并实现了4-6英寸半绝缘碳化硅晶圆的切割减薄、6英寸导电型碳化硅晶锭的切片，目前正在进行8英寸晶锭切片验证。

据介绍，该设备不仅可用于碳化硅晶锭切割和晶片减薄，还可应用于氮化镓、氧化镓、金刚石等其他材料的激光加工领域。

（JSSIA整理）