4月24日，SK海力士表示，计划投资5.3万亿韩元（约合38.6亿美元）在韩国建设一家新的动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产基地，工厂代号M15X。

SK海力士表示，新生产基地旨在增加DRAM产能，重点是HBM。据了解，M15X工厂计划于4月底开始建设，2025年11月之前实现量产，新生产基地的长期总投资预计将超过20万亿韩元。SK海力士总裁兼首席执行官Kwak Noh-Jung表示，M15X将成为向世界提供人工智能关键存储设备的最核心生产设施

另外，SK海力士还计划按照当初制定的计划，向韩国龙仁半导体产业园区投资120万亿韩元左右。该公司指出，这些投资规模是为了配合人工智能芯片需求的极度快速增长步伐，尤其是HBM存储系统，并且该公司预计服务器高容量DDR5模块产品需求也将稳步增长。

据媒体报道，SK海力士还打算投资约40亿美元，在美国印第安纳州西拉斐特建立大型的芯片先进封装工厂，力争扩张HBM存储产能以满足英伟达庞大需求，预计该先进封装厂将于2028年开始运营并初步投产。

（JSSIA整理）