12月21日，ASML日宣布，已运送业界首套数值孔径为0.55（High-NA）极紫外线（EUV）光刻机给英特尔，型号为Twinscan EXE:5000。

ASML表示，已出货第一套High-NA EUV光刻机给英特尔。机器从荷兰ASML总部运往英特尔俄勒冈州晶圆厂安装。High-NA EUV光刻机体积非常大，需13个大货柜才能装完。每套High-NA EUV光刻机成本约3亿至4亿美元。

英特尔表示，会使用最新设备学习生产Intel 18A制程，计划于2025年量产。

由于High-NA EUV光刻机与标准EUV光刻机差异很大，需大量修正基础设施，故领先对手几季部署对英特尔是很大优势，英特尔有充足时间调整Intel 18A制程。

高数值孔径极紫外线的最先进系统有望彻底改变芯片生产。配备0.55 NA透镜的高High-NAEUV光刻机达8纳米分辨率，比0.33NA透镜、13nm分辨率标准EUV光刻机显著提升。High-NA将在2纳米及更先进制程发挥重要作用。

（JSSIA整理）