第三代半导体
 
英飞凌将在马来西亚建SiC晶圆厂
 2023-8-11
 

8月8日,英飞凌科技股份公司宣布,将大幅扩建居林晶圆厂,在2022年2月宣布的原始投资基础之上,打造全球最大的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂,这意味着英飞凌向构建新的市场格局迈出又一决定性的一步。

 

在未来五年内,英飞凌将再投入多达50亿欧元进行居林第三厂区(Module Three)的二期建设。英飞凌表示,其2025财年的碳化硅收入将超过10亿欧元,2030年之前将占据全球30% SiC市场份额。

 

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示:“碳化硅市场正在加速增长,不仅在汽车领域,在太阳能、储能和大功率电动汽车充电等广泛的工业应用领域亦是如此。扩建居林工厂将确保我们在这一市场的领导地位。凭借业界领先的规模和独特的成本优势,我们正在充分发挥竞争优势,包括领先的SiC沟槽技术、全面的封装产品组合以及对应用的深刻理解。这些优势使我们在行业中脱颖而出并取得成功。”

 

英飞凌已获得约50亿欧元的新设计订单,以及来自现有和新客户的10亿欧元左右的预付款,其中汽车领域包括六家整车厂,三家来自中国。客户包括福特、上汽和奇瑞。可再生能源领域的客户包括SolarEdge和中国三大领先的光伏和储能系统公司。此外,英飞凌和施耐德电气就产能预订达成一致,包括预付硅和碳化硅产品的费用。英飞凌和相关客户将在近期分别发布公告,披露更多细节。这些预付款将在未来几年为英飞凌的现金流做出积极贡献,并且最迟应在2030年根据协议销售量全额偿还。

 

(JSSIA整理)