3月10日，芯德科技先进封装技术研究院发布了CAPiC晶粒及先进封装技术平台。

据介绍，本次发布的CAPiC晶粒及先进封装技术平台包括六大核心封装技术，包括高密度重布线扇出结构（FOCT-R）、高密度硅通孔扇出结构（FOCT-S）、重布线及硅基埋入基板扇出结构 （SETiS/RETiS）、叠层芯片扇出结构（TMV-POP）、玻璃基扇出结构（TGV-POP）、树脂/干膜扇出结构（eWLB-F/eWLB-M））。

芯德科技总经理潘明东表示，本次发布的技术平台能够提供更多的解决方案，特别是通过高密度的晶圆级RDL集成来降低基板的设计层数，乃至于部分技术可以取代基板的应用。另外，该平台能够帮助客户集成不同工艺功能的芯片，缩短开发周期，进一步降低整体项目开发成本，为半导体行业发展解决了一些共性难题。

（JSSIA整理）