近日，日本存储芯片厂商铠侠和美国硬盘厂商西部数据共同宣布，日本政府将为其在日本中部纪伊半岛三重县四日市合资的Fab7制造工厂提供高达929亿日元（约合46亿元人民币）的补贴。据悉，该补贴旨在促进企业对尖端半导体生产设施的投资，并且确保日本半导体的稳定生产。

这也是继日本政府承诺为台积电、索尼和日本电装在日本熊本县建设的半导体工厂提供高达4760亿日元（约合35.2亿美元）之后，在半导体领域的第二次巨额投资。

随着Fab7工厂第一阶段的建设完成，该工厂将在2022年秋季实现初步生产，将生产包括112层和162层以及未来节点的3D NAND芯片。此前也规划将于2024年之前推出200层以上的3D NAND芯片。双方表示，将基于共同研发3D NAND技术以及联合投资等方式，扩大在存储领域的领先地位。

（来源：中国电子报、电子信息产业网/JSSIA整理）