10月20日，美光宣布将在未来十年投资1500亿美元。投资方向将包括潜在的美国晶圆厂扩张和满足面向未来的研发需求。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“美光在DRAM和NAND技术方面的领先地位以及我们路线图的实力使我们能够充满信心地投资超过1500亿美元，将我们行业领先的存储器创新扩展到下一个十年，并为我们的客户提供差异化产品。我们期待与世界各地的政府合作，包括在美国，CHIPS资金和FABS法案将为新的行业投资打开大门，因为我们正在考虑支持未来扩张的地点。”

以具有竞争力的成本制造最先进的内存需要大规模的晶圆厂，这些晶圆厂有可能创造数万个新工作岗位和显着的经济增长。美国内存制造成本比拥有成熟半导体生态系统的低成本市场高35-45%，这使得资金支持新的半导体制造能力和可退还的投资税收抵免对于美国制造业的潜在扩张至关重要，这是美光有针对性的投资的一部分。

美光还明确表示，包括税收抵免形式的财政支持将是其决定投资地点的关键因素，称美国的制造成本比拥有成熟芯片供应链的国家高35-45%。

美光在美国、中国台湾、日本和新加坡设有制造基地，并在中国大陆和马来西亚经营芯片封装工厂。该公司最重要的动态随机存取存储器生产基地在台湾，而其最重要的闪存生产基地在新加坡。DRAM和闪存芯片对于智能手机、数据中心、计算机、汽车和无数其他物品都是必不可少的。

然而，在美光宣布这一消息之前几周，这家美国芯片制造商及其存储芯片制造商Nanya Tech下调了本季度的预期，因为持续的芯片和组件短缺迫使设备制造商开始缩减生产规模。两家公司还警告称，由于技术供应链中的零部件供应严重不匹配，订单和价格可能会出现调整。

美光是仅次于三星和SK海力士的全球第三大DRAM芯片制造商。它是仅次于三星、SK海力士、铠侠和西部数据的全球第五大闪存芯片制造商。该公司没有具体说明在其1500亿美元的扩张计划中如何在DRAM和NAND闪存之间分配投资。

（来源：半导体行业观察/JSSIA整理）