6月23日，湖南三安半导体SiC项目正式投产。

该项目总投资160亿元，规划用地1000亩。该项目集SiC长晶、衬底、外延、芯片制造、封装测试等为一体，研发、生产6英寸SiC衬底、4英寸绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管封装、SiC器件封装MOSFET等。其中，6英寸SiC晶圆月产能为3万片。

据了解，该项目为世界第三条、中国大陆第一条6英寸SiC晶圆生产线。

（协会秘书处）