日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。

据韩媒援引业内人士消息，三星电子已决定在美国得克萨斯州奥斯丁设立EUV半导体工厂，以满足日益增长的小型芯片需求和美国重振半导体计划。

该工厂将采用5nm制程，计划于今年Q3开工，2024年投产，预计耗资180亿美元。这次在美国建厂也是三星电子首次在韩国之外设立EUV产线。

在此之前，台积电去年宣布，将在美国亚利桑那州建设一座芯片工厂，建成之后将采用5nm工艺为相关的客户代工芯片，计划月产能20000片晶圆，这一工厂计划2021年开始建设，目标是2024年投产，台积电计划2021年到2029年在这一工厂投资120亿美元。

（来源：SEMI/JSSIA整理）