三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

据介绍，本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，拥有更高的耐压和耐热、更快的开关频率、更低的开关损耗等特性。优异的高温和高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色，尤其是高压应用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件损耗小，极大减小了器件的散热需求，使系统朝着小型化，轻量化，集成化的方向发展。这对“寸土寸金”的电源系统来说至关重要，比如新能源车载充电器OBC、服务器电源等。

三安集成表示，将加快MOSFET系列产品研发和车规认证的速度，同时继续发扬优质稳定、按时交付的质量方针，充分利用大规模、全产业链的产能优势与品质管理优势，用开放的制造平台，服务全球客户。

（来源：集微网/JSSIA整理）