据湖北日报报道，6月20日，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）在武汉东湖高新区开工。湖北省委书记、省人大常委会主任应勇宣布项目（土建）开工。湖北省委副书记、省长王晓东致辞。

国家存储器基地项目由紫光集团、国家IC大基金、湖北科投集团、湖北IC基金共同投资，计划分两期投资（总投资约240亿美元），建设3D NAND FLash芯片工厂。该项目一期工程12英寸晶圆生产线已于2016年年底开工建设，在2017年9月，开工9个月后，提前封顶竣工投产，历经32层，64层 3D NAND Flash芯片已实现稳定生产，产量正在日新月异地爬坡上升，近期已成功研制出全球领先型的128层 3D 闪存芯片。

武汉长江存储二期的开工建设，是湖北省武汉市战胜COVID-19疫情后重振重大项目的重要举措，为湖北省拓展壮大“光芯屏端网”产业链注入强劲动力，是努力实现湖北武汉集成电路技术水平发展的重要里程碑的跨越。

（JSSIA整理）