6月15日，三安光电股份有限公司（以下简称“三安光电”）与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署了《项目投资建设合同》，三安光电拟在长沙成立子公司投资建设第三代半导体产业园项目。

公告披露，三安光电拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

该项目总投资额达160亿元，三安光电在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产；72个月内实现达产。

三安光电表示，第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。2022年项目建成后，三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局。

（来源：全球半导体观察/JSSIA整理）