据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。生产线已于5月开始建设，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。

三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。加上平泽生产线，韩国将拥有7条芯片制造产线。

三星电子去年4月曾提出“半导体愿景2030”，计划到2030年对系统芯片研发和生产技术领域投资133万亿韩元（约合人民币7658亿元）。

（JSSIA整理）