3月30日，在“芯片之城”地标产业签约仪式上，超芯星半导体项目和中安半导体项目与南京江北新区签约，未来都将落户新区研创园。

据南京江北新区官微指出，超芯星半导体项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片，未来还将在SiC衬底产品的基础上，将进一步研发SiC切磨抛工艺，打造国内SiC行业标杆企业。

而中安半导体项目将主要开发半导体硅片平整度和三维形貌检测设备，从事开发200mm和300mm硅片平整度和三维形貌检测设备，目前已获得金茂资本首期风险投资，未来将通过开发拥有独立知识产权和中国专利的硅片平整度及形状测量设备填补国内半导体产业链的一项空白。

南京集成电路产业服务中心主任时龙兴表示，两家公司加盟是对新区集成电路完整产业链的再完善，再提升，此次合作是对新区集成电路产业链的一种丰富和补充，是加强集聚的过程。

未来，南京江北新区将重点在高端芯片设计领域持续发力，打造全球智能设计中心，同时，推动芯片设计与网络通信、物联网、人工智能协同发展，力争在今年形成以芯片设计为核心的集成电路千亿级产业集群。

（来源：拓墣产业研究 南京江北新区/JSSIA整理）