10月17日晚间，国电南瑞发表公告称，为加快公司产业链延伸和产业升级，增强企业核心竞争力，提高募集资金使用效率和效果，降低募投项目投资风险，公司拟增加IGBT模块产业化项目的实施主体，与国家电网有限公司（以下简称“国网公司”）下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司（以下简称“联研院”）共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司（以工商部门核准名称为准，以下简称“合资公司”），由该合资公司实施IGBT模块产业化项目的部分投资。联研院系国电南瑞最终控股股东国网公司下属全资子公司。

至于具体投资方面，国电南瑞拟以IGBT模块产业化项目的部分募集资金55,864.45万元出资，占合资公司69.8305625%股权，联研院以技术作价出资24,135.55万元（该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案），占合资公司30.1694375%股权。涉及变更实施主体的计划投资额55,864.45万元，占IGBT模块产业化项目投资额的33.98%，占公司募集资金总筹资额的9.15%，相关募集资金用途、建设内容、地点等不变。

在公告里面，国电南瑞也介绍了公司向进军IGBT产业的原因。

他们指出IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件，技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大,核心技术一直被国外企业垄断，目前国内高端人才缺乏，国内仅有少量厂商开展高压IGBT研制业务。

联研院是国家电网公司直属科研单位，国内首家专业从事全球能源互联网关键技术和设备开发的高端科研机构。联研院于2010年开始研究功率半导体器件，拥有100多人的技术团队和先进的功率器件中试线，是国内少数掌握高压IGBT芯片设计技术的单位之一。在功率半导体器件领域，联研院承担国家科技重大专项（02专项）“国产高压大功率IGBT模块电力系统应用工程”等攻关任务，自主研发了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A压接式和焊接式IGBT器件，掌握成套的设计、制备等核心技术，打破了国外技术垄断，成功研制1200V至6500V碳化硅二极管样品，实现了新一代电力电子器件的重大创新突破。

国电南瑞表示，通过与联研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技术研发及产品批量化生产的风险，保障中低压、加快高压IGBT等功率半导体芯片及模块研制和产业化进程。为加快公司产业链延伸和产业升级，增强企业核心竞争力，提高公司募集资金使用效率和效果，降低公司募投项目投资风险，公司拟以“IGBT模块产业化项目”部分募集资金出资与联研院共同设立合资公司，并增加合资公司为该项目的实施主体。

（来源：半导体行业观察）