内存市场进入旺季，DRAM及NANDFlash现货价持续上涨，但据韩国媒体报导，龙头大厂韩国三星电子兴建中的内存厂平泽P2厂原本要在下半年展开设备投资，但投资动作将延至明年才进行，主要考虑到市况不明及日韩贸易纷争带来不确定性而调整投资步伐。

法人认为，这将加速内存市场景气提前触底及复苏，看好南亚科、晶豪科、华邦电、群联等内存类股表现。

第三季是内存市场传统旺季，受惠于英特尔中央处理器（CPU）供货顺畅，智能型手机展开芯片拉货，带动DRAM及NAND Flash出货畅旺。在供给端方面，除了铠侠（Kioxia，原东芝内存）四日市厂区停电导致产能减损，以及日韩两国纷争传出韩国内存厂可能降低产能利用率消息。业界认为内存市场库存将快速去化，带动7月以来DRAM及NAND Flash现货价涨幅逾10%，部份供货量较少的组件还大涨20～30%。

内存现货价止跌回升，但国际大厂减产动作持续。韩媒引述业界消息指出，可能成为三星最大内存厂的韩国平泽P2厂，设备投资将延至明年第一季，三星下半年只会对P2厂必要维护设备下单，将设备投资金额减到最低程度。据了解，三星平泽P2厂去年初动土，规模比月产能达30万片的平泽P1厂大，该厂原订下半年开始移入设备装机，但现已延后至明年第一季。

业界人士分析，三星延后平泽P2厂的原因，除了内存市场库存仍然偏高考虑，还包括美中贸易战尚未落幕，以及日韩纷争可能导致关键材料供给出现短缺。在整体大环境不确定性升高情况下，三星才会延定延后设备投资。若该厂明年第一季才开始装机，第二季进入试产，要开出产能可能要等到明年第三季末或第四季初，对于改善内存市场供给过剩压力会有很大的帮助。而且，若日本政府扩大对韩国出口管制，可能会促使三星投资动作进一步延后。

模块业者对于第三季内存市况看法转趋乐观，包括群联董事长潘健成、威刚董事长陈立白等，都看好现货价仍有调涨空间。陈立白认为，在日韩纷争短期不易平息前提下，内存供应链将面临无法如期全产能量产压力，DRAM及NAND Flash价格看涨，现货价已见涨势，合约价可望在7月止跌。

（来源：工商时报）