6月20日，科创板上市委2019年第7次审议会议结果出炉，中微半导体设备（上海）、西部超导材料科、广州方邦电子三家公司均获通过，其中中微半导体是国产半导体设备龙头企业，也是国际半导体设备产业界公认的后起之秀。

资料显示，中微半导体是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司，是我国集成电路设备行业的领先企业，是由一大批在全球半导体产业长期耕耘，做出突出贡献的研发、工程技术、销售和营运专家创立和参与的科创企业，公司聚焦用于集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备的研发、生产和销售。

据披露：“中微半导体研发的核心技术和产品面向世界科技前沿，是国际半导体设备产业界公认的后起之秀。”此外，“半导体制造设备是实现集成电路性能提升的关键，发展集成电路及装备产业对我国的经济结构调整升级具有重要的战略意义”。这一描述显然是与科创板对企业定位的要求相对应。

两大产品契合细分市场

数据显示，近年来全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导体产品最重要的组成部分。而中微的半导体设备主要服务于这两类产品的制造环节。

根据中微招股书披露，将半导体设备行业进一步细分，中微所处的细分行业为集成电路设备行业中的刻蚀设备行业和LED设备行业中的MOCVD设备行业，正与上述光电子器件组成部分不谋而合。

在国内半导体设备需求增长的带动下，中微半导体营业收入实现较快增长，2016-2018年度，公司营业收入分别为6.09亿元、9.72亿元、16.39亿元；净利润分别为-2388万元、2992万元、9083万元。

在中微两大产品中，公司开发的高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并用于7纳米器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求开发5纳米及更先进的刻蚀设备和工艺。在3DNAND芯片制造环节，公司的电容性等离子体刻蚀设备技术可应用于64层的量产，同时公司根据存储器厂商的需求正在开发96层及更先进的刻蚀设备和工艺。公司的刻蚀设备技术处于世界先进水平，符合产业发展趋势。

此外，中微的MOCVD设备Prismo D-Blue、Prismo A7能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸外延片加工能力。公司的Prismo A7设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LED MOCVD市场中占据主导地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。同时，公司正在开发更大尺寸MOCVD设备，将有助于产业的进一步发展。

目前，中微拥有多项自主知识产权和核心技术，截至2019年2月28日，公司已申请1,201项专利，已获授权专利951项，其中发明专利800项。在刻蚀设备方面，公司成功开发了低电容耦合线圈技术、等离子体约束技术、双反应台高产出率技术等关键技术。在MOCVD设备方面，公司新开发的Prismo A7设备拥有双区可调控工艺气体喷淋头和带锁托盘驱动技术，以实现优良的波长和厚度均一性指标。

值得提及的是，刻蚀设备及MOCVD设备行业均呈现高度垄断的竞争格局，中微公司是我国半导体设备企业中极少数能与全球顶尖设备公司直接竞争并不断扩大市场占有率的公司。

工艺演进扩大设备市场空间

伴随新应用推动市场需求的持续旺盛，半导体行业的景气度有望保持螺旋式上升。在这浪潮下，全球的半导体巨头如三星、英特尔、海力士等纷纷提出加大资本性支出的计划，或开启新一轮的半导体投资周期。作为半导体生产环节投资规模占比最大的部分，半导体设备将直接受益于未来持续扩张的半导体产业。

根据SEMI统计，20纳米工艺需要的刻蚀步骤约为50次，而10纳米工艺和7纳米工艺所需刻蚀步骤则超过100次。工序步骤的大幅增加意味着需要更多以刻蚀设备、薄膜沉积设备为代表的半导体设备参与集成电路生产环节。

除集成电路线宽不断缩小以外，半导体器件的结构也趋于复杂，例如存储器领域的NAND闪存已进入3D时代。3D NAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增大堆叠的层数，叠堆层数也从32层、64层量产向128层发展，每层均需要经过刻蚀和薄膜沉积的工艺步骤，催生出更多刻蚀设备和薄膜沉积设备的需求。这就为以刻蚀设备、薄膜沉积设备为代表的核心装备的发展提供了广阔的市场空间。

此外，LED行业的新应用和新技术同样层出不穷，除蓝光LED外，红黄光LED、深紫外LED以及Mini LED、Micro LED、第三代半导体功率器件等诸多新产品方兴未艾，这些领域都需要MOCVD设备，将进一步扩大MOCVD设备的市场规模。

与之契合的是，中微的两大产品线正在加速研发上述细分市场所需的重要设备。中微公司从2004年建立起首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备PrimoD-RIE，到目前为止已成功开发了双反应台PrimoD-RIE，双反应台PrimoAD-RIE和单反应台的PrimoAD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。

截至2018年末，中微累计已有1,100多个反应台服务于国内外40余条先进芯片生产线。中微自主研发的MOCVD设备已被多家领先LED生产厂家使用和认可。根据HIS Markit的统计，2018年中微在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据主导地位。

不过作为后起之秀的中微却缺少实际控制人，重大决策须由股东共同决定。中微公司第一大股东上海创投的持股比例为20.02%，第二大股东巽鑫投资的持股比例为19.39%，两者持股比例接近。根据公司目前的实际经营管理情况，公司重要决策均属于各方共同参与决策，公司无实际控制人。而公司第一大股东，上海创投是上海科技创业投资（集团）有限公司100%控股子公司，实际控制人为上海市国资委。

（来源：集微网）