2018年，全球内存产业在技术方面取得突破，长江存储发布了XtackingTM，3D NAND闪存技术全面进入96层和QLC时代；全球各大存储器生产商扩产不停；此外在收购、诉讼方面动作不断。
本文将带领你一起回顾2018年内存产业大事件。
一、技术篇
1. 长江存储发布突破性技术XtackingTM
2018年8月7日，长江存储在快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2018）发布了其突破性技术—XtackingTM。该技术将使得3DNAND闪存具备I/O高性能以及更高的存储密度，产品上市周期更短。
据介绍，采用XtackingTM技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。存储单元将在另一片晶圆上独立加工。当两片晶圆各自完工后，XtackingTM技术只需一个处理步骤就可将二者键合接通电路，且成本增加有限。
长江存储CEO杨士宁表示，目前世界上最快的3DNAND的I/O速度目标值是1.4Gbps，大多数NAND供应商仅能供应1.0Gbps或更低的速度。利用XtackingTM技术，有望大幅提升NAND的I/O速度到3.0Gbps。
2. 3D NAND闪存技术全面进入96层和QLC时代
东芝与西部数据的合资闪存代工厂已经开始制造96层3D NAND芯片，两个合作伙伴正在此基础上积极生产四级单元（QLC）产品，率先迈入QLC时代的西部数据则拥有一款四级单元的1.33 Tb芯片。
东芝美国有限公司亦拥有一套96层QLC芯片的原型设计方案。该公司表示其单芯片容量为1.33 Tb，与西部数据保持一致。东芝方面将这些芯片每16个一组堆叠在同一封装之内，从而生产容量达2.66 TB的“超级芯片”。
三星公司表示其正在生产96层3D NAND芯片，并着手开发QLC方案。
美光6月份的时候预告了2018年下半年96层3D NAND技术将会开始批量出货，并计划打造超过120层的第四代3D NAND。
二、产能篇（按时间排序）
1. 三星西安NAND新工厂3月底扩产
2018年3月，三星宣布在西安举行了第二条NAND闪存芯片生产线的奠基仪式，2019年正式结束整个工厂的扩建工作。
三星未来三年将斥资70亿美元，扩大西安厂区NAND Flash产能，西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片，增幅约67%。
2. 长江存储设备MOVE-IN
2018年4月11日，长江存储正式移入生产设备。据悉，完成装机后，长江存储将实现32层存储器小规模量产。
2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，正是为4月搬入机台设备而准备，预计很快就可以实现3D NAND量产。
在长江存储发展规划中，第一阶段长江存储将以 3D Nand Flash 做为切入点，通过技术合作支持争取快速发展，第二阶段目标到 2020 年月产能达到 30 万片。
3. 美光新加坡第三座3D NAND工厂动工
2018年4月，美光宣布位于新加坡的第三座3D NAND工厂动工，该新工厂占地165000平方米，预计会在2019年中完工，在2019年第四季度投产。
目前，美光在新加坡有两座300mm 3D NAND工厂，分别Fab 10N和Fab 10X。
4. 英特尔大连厂2期投产
2018年第二季，英特尔宣布大连的Fab 68 -II投产，主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。
积极追赶竞争对手的市占率，Fab 68 -II改造工程于2015年宣布，总投资55亿美元。
5. 长鑫集成正式投片
2018年7月16日，长鑫集成传来喜讯，进行了控片投片总结会，并宣布正式投产电性片。
2017年10月，兆易创新（603986）与合肥产投签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，双方在合肥经开区开展19纳米DRAM合作项目，预算约为180亿元人民币，目标是在2018年12月31日前研发成功。
据悉，在研发19纳米的同时，也在研发17纳米。
6. 东芝建新厂增产3D NAND
2018年7月，东芝存储器(TMC)宣布，新的BiCS 3D NAND工厂在日本岩手县（Kitakami）正式举行了奠基仪式。整个工程预计将在2019年底完工，2020年正式投产。
岩手新工厂将会是将会是东芝最大的工厂，会采用最先进的科技，引入人工智能的新生产系统，拥有最高的产能。当然，也会采用最新进的抗震系统。为了更好的管理这个工厂，还将成立一家新公司（东芝存储岩手公司）用于管理工厂的初期的启动和后期的运营。
7. 华邦电子投资兴建高雄新厂
2018年8月17日，华邦电子董事会通过12吋晶圆厂兴建计划及购买设备，新厂位于南科高雄园区。预计投资金额共约新台币203.672亿，其中建厂阶段投资金额约新台币195.6亿，购置研发设备投资金额约新台币8.072亿。高雄厂初期规划月产能28500片，预计2018年第4季开始动土兴建，将于2020年完工试产。
8. 武汉新芯二期启动
2018年8月28日，武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新芯二期扩产项目规划总投资17.8亿美元，紧抓物联网和5G运用的市场机遇，建设NOR FLASH（自主代码型）闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台，相当于再造一个武汉新芯。
根据规划，武汉新芯的NOR FLASH闪存能力每个月扩充8000片，从月产能1.2万片扩至月能2万片，微控制器新增每个月扩充5000片，计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。
9. 东芝新厂FAB6量产96层3D NAND
2018年9月19日，东芝宣布，位于日本三重县四日市的Fab 6举行开幕仪式。配套的闪存研发中心今年3月份已经运转了，新的研发及生产中心重点就是BiCS 4技术96层3D NAND闪存，QLC闪存也将是重点，该工厂投产意味着东芝3D闪存产能进一步提速。
东芝于2017年2月份宣布在日本四日市建设新的闪存晶圆厂Fab 6，总投资5000亿日元，折合约45亿美元。收购了闪迪公司（SanDisk）的西数公司（Western Digital）是其合作方。
东芝存储器是自2017年2月开始兴建6号晶圆厂，为生产3D NAND Flash快闪存储器的专用生产厂区。东芝存储器与西数已针对沉积（deposition）与蚀刻（etching）等关键生产制程开始部署先进制造设备，新厂已经在9月初开始量产新一代96层3D NAND Flash。
10. 紫光南京半导体产业基地开工
2018年9月30日，紫光南京半导体产业基地项目项目开工，总投资300亿美元。项目一期投资约105亿美元，月产芯片10万片，主要产品为3D NAND Flash、DRAM存储芯片等。预估项目全部建成将可形成月产芯片30万片。
11. SK海力士M15工厂投产
2018年10月4日，SK海力士M15工厂正式进入量产。M15工厂位于韩国清州市，投资额高达15万亿韩元，以生产3D NAND Flash为主，初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash，2019年开始，就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。
12. 紫光成都存储器制造基地项目开工
2018年10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工。据介绍，紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。据悉，项目全部建成将可形成月产芯片30万片。
13. SK海力士开建新厂M16
2018年12月，SK海力士正式开工建设新厂M16，总投资不低于15万亿韩元（约133亿美元），这将是SK海力士的第7座存储生产工厂。
M16预计2020年建成投产。据悉M16将采用最先进的EUV光刻技术，生产NAND Flash和DRAM产品。
三、收购篇（按时间排序）
1. Synopsys收购Kilopass
2018年1月11日，Synopsys以非公开的价格收购了非易失性内存IP供应商Kilopass，通过收购继续构建其庞大的知识产权组合。
Kilopass是一次性可编程非易失性存储器IP的先驱，收购将进一步完善公司汽车、物联网、工业和移动应用的现有非易失存储器IP产品组合。Kilopass IP将支持其现有DesignWare的非易失性存储器IP一次性和多次可编程，支持在180 nm至7 nm工艺技术中实现高达4 Mbit的一次性可编程实例。
Synopsys自成立以来，共收购了18家IP供应商，成为全球仅次于arm Holdings的第二大IP供应商。
2. 贝恩资本收购东芝存储
2018年6月初，以贝恩资本牵头的财团（包括了SK海力士、苹果公司、戴尔公司、希捷科技和金士顿科技）完成了对于东芝芯片业务的收购，交易总金额达180亿美元。
东芝存储芯片在技术领域的积累仍然是数一数二的，在全球存储芯片的市场上，东芝存储的排名也是非常的靠前，东芝在NAND市场上的份额，位居全球第二。
3. 美光并购与英特尔合资的IM Flash
2018年10月19日，美光科技宣布，斥资15亿美元收购英特尔持有的IM Flash Technologies股份，并预计将在明年1月1日行使购买选择权后6至12个月完成交易。美光科技首席财务官Dave Zinsner表示将通过自由现金流支付收购款项。
IM Flash由美光科技和英特尔在20006年联合组建，美光科技持投51%。IM Flash犹他州工厂是全世界唯一可以生产3-D XPoint技术的工厂。
4. 紫光存储收购紫光国芯
2018年10月11日，紫光国微拟将旗下DRAM存储器芯片设计公司西安紫光国芯全部股权将以2.2亿元转让给紫光集团下属的全资子公司北京紫光存储科技有限公司，交易完成后，西安紫光国芯公司将成为北京紫光存储科技有限公司的全资子公司。
四、诉讼篇（按时间排序）
1. 被控串谋操纵价格，三大DRAM厂商被提起集体诉讼
2018年4月28日，Hagens Berman事务所律师日前在美国加州北部地区法院向三星、海力士公司（Hynix）和美光科技（Micron）提起诉讼，指控这三家企业串谋限制DRAM内存芯片供应，从而人为地将零售价格保持在高位。
这桩集体诉讼由该律所代表美国消费者发起，具体包括2016至2017年购买了智能手机和个人电脑产品的消费者。
2. 美光获裁禁售部分产品，先行停止侵犯晋华专利权
2018年7月3日，福州市中级人民法院裁定美光半导体销售（上海）有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片，并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定美光半导体（西安）有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。
3. 晋华遭禁
2018年10月30日，美国商务部声明称，将把福建晋华集成电路有限公司列入出口管制“实体清单”，限制对其出口，原因是该公司新增的存储芯片生产能力将威胁到为军方提供此类芯片的美国供应商的生存能力。
10月30日，联电表示与晋华的合作计划不受影响，将持续依合约开发技术。但在1天之后，10月31日，联电宣布目前已接获台湾区电机电子工业同业公会转发的国贸局函令，暂停与晋华合作，直到禁令解除后，才会恢复为晋华开发技术。
（来源：芯思想）