台湾地检署起诉美光离职员工窃密案后，美国内存大厂美光（Micron）选择在美国加州法院向联电和技术团队成员提起民事诉讼和损害赔偿。联电总经理简山杰昨（25）日接受本报专访时表示，美光跨国起诉的挑战性大，显然是想要藉由美国的主场优势抑制对手，才选择「异地」求偿，并吓阻联电在台湾自主研发DRAM的努力。

简山杰表示，有关台湾地检署起诉美光离职员工窃密的刑事起诉是在台湾，但美光却选择美国提起民事求偿，初步判断可能原因之一，是美光提出告诉、联电被起诉已引起科技业和学界的侧目，官司挑战性甚大，美光显然想藉由美国的主场优势抑制对手，才选择「异地」求偿。

原因之二是检察官仅针对联电「未尽力防止」窃密罪起诉，但美光藉此扩大渲染，将联电和研发团队人员统统纳入美国民事起诉对象，想藉由诉讼困住联电的研发进度，显然意在吓阻台湾自主研发DRAM。

简山杰说，第三个可能原因是联电研发DRAM技术尚在开发进行中，尚无成果也还没有产品，根本没使用美光的营业秘密，更没有造成任何损害，美光起诉请求损害赔偿并无任何根据。原因之四则是美光将福建晋华公司列为共同被告，显示其有意图囊括中国大陆市场，意在阻止中国大陆制造生产DRAM。

简山杰表示，联电的本业是晶圆代工，顺应市场趋势并强化晶圆代工的服务，联电研发DRAM的经验有助于新世化内存的发展，包括MRAM（磁阻式随机存取内存）等，等于可以抢先进入有潜力的新市场。再者，联电是借外部力量来研发DRAM技术，福建晋华支持研发费用，双方共同投入研发设备及技术，可快速研发速度，不会挤压联电的获利表现。

联电的DRAM技术研发虽中断十几年，但现在已重启研发并持续进行中，且联电没有使用美光的营业秘密，未来的研发成果也一定不会涉及美光的营业秘密。也就是说，美光不会受到损害，所以请求损害赔偿毫无根据，联电一定会捍卫60万股东的权益和商誉，采取必要措施。

简山杰指出，联电的所有研发及会议都会留下纪录，联电自主研发DRAM技术，凭借的是合法及清楚的起点，以及完整详实的问题解决途径，还有自行研发过程中所产生的专利。联电在逻辑IC制程已做到14奈米，复杂度远比DRAM高出许多，联电的DRAM技术研发，也是由位记忆胞设计开始，流程与步骤都有纪录，连对应的设备与采用材料等都是从零开始。

简山杰强调，联电绝不窃取、使用他人营业秘密，联电不知道美光的营业秘密为何，也不曾使用过，且核心技术与美光明显不同，根本没有必要窥视、侵害美光的营业秘密，外部的营业秘密对联电的自主研发，并无法产生实质作用，但现在为了避免外界误传或散布不实谣言，所以特别予以澄清。

此外，简山杰还表示联电未来的DRAM技术研发成功后，会授权给晋华生产，但联电并没有投资晋华，未来也可争取其它DRAM代工订单。联电目前没有自建DRAM产能计划，不会与台湾现有DRAM厂商竞争。

（来源：微电子制造）