内存明年市况恐将不同调，DRAM市场仍将持续吃紧，NAND Flash市场则将于明年上半年转为供过于求。

DRAM 与 NAND Flash 市场今年都处于供不应求状态，产品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年 DRAM 与 NAND Flash 市况恐将不同调。

内存模块厂创见指出，DRAM 市场供货持续吃紧，价格未见松动迹象。 NAND Flash 方面，随着 3D NAND Flash 技术日益成熟，生产良率改善，可望填补供货缺口。

另一内存模块厂威刚表示，短期内全球 DRAM 大厂仍理性看待产能议题，并未有大幅破坏产业生态的计划，持续正面看待 DRAM 市况。

NAND Flash 方面，威刚指出，随着供货商 3D NAND Flash 良率逐步改善，预期明年第1季整体供需将出现转变。

美光预期，明年 DRAM 位供给将增加约 20%，市场环境仍将持续健康；NAND Flash 位供给则将增加近 50%，供给增加幅度将远高于 DRAM。

（来源：集微网）