近日北方华创捷报频传。2017年11月22日，国内首台8寸金属刻蚀设备进入中芯国际天津厂；2017年11月30日，12寸立式氧化炉THEORIS O302进入长江存储；2017年12月5日，12英寸原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)设备进驻上海集成电路研发中心。15天，三台关键设备进入大生产线和研发线，为国产高端装备在国内集成电路芯片生产线的应用再谱新篇章，是国产高端装备应用工艺的再一次的重要突破。

8英寸金属刻蚀设备：NMC508M应用于8英寸0.13um及以下技术代Al金属刻蚀工艺。Al金属刻蚀是集成电路制程中的一道重要工艺步骤，广泛用于存储器及逻辑产品中。该设备基于公司多年在集成电路刻蚀设备技术积累基础上，针对终端用户的需求进行了设备的深度定制开发。在8英寸传统刻蚀技术基础上集成应用了多项12英寸刻蚀设备的先进技术，关键技术指标达到国际先进水平。

12寸立式氧化炉：THEORIS O302具有先进的颗粒控制技术、高精度温度场控制技术、先进的微环境氧含量控制技术、后期维护费用低等特点，具备12英寸晶圆干氧氧化、湿氧氧化、DCE氧化等工艺能力，可应用于LOGIC、DRAM、NAND等产品工艺制程，成为客户的POR（Process of Record）机台（扩产优先采购机台）。此前已经批量应用于中芯国际、上海华力大生产线，获得用户好评。此次应用于长江存储3D NAND Flash制程，扩展了国产立式氧化炉的应用领域，为国产集成电路装备商业化应用踏出了又一个坚实的步伐。

12英寸ALD设备：ALD设备是先进集成电路制造工艺中必不可少的薄膜沉积设备，ALD工艺具有工艺温度低、薄膜厚度控制精确及台阶覆盖率高等优点。在集成电路特征线宽发展到28纳米节点后，ALD工艺应用日益广泛。北方华创微电子自2014年开始布局ALD设备的开发计划，历时四年，成功推出应用于集成电路领域的量产型单片ALD设备——Polaris A630，应用于沉积集成电路器件中的高介电常数和金属栅极薄膜材料，设备的核心技术指标达到国际先进水平。

作为国产装备的重点单位之一，公司在专项的支持下，经过刻苦攻关，先后完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证，实现产业化；硅刻蚀机、单片退火设备、Hardmask PVD、Al Pad PVD、单片清洗机、立式炉、ALD等集成电路设备应用于28-14纳米工艺制程，扩展了国产高端装备在集成电路先进制程的配套应用范围。

（来源：芯思想）