在近日召开的“光刻胶技术与产业发展研讨会”上，江苏南大光电材料有限公司与北京科华微电子材料有限公司正式签约，南大光电将投资北京科华1.23亿元，占科华股份31.39%。双方携手后，除了持续开展248nm光刻胶全线产品开发外，同时还将共同开展193nm光刻胶的研究与产品开发。北京科华微电子是国内领先的光刻胶研发和生产企业，南大光电是全球排名第二的MO源制造商，这种以资本横向联合的方式推进技术创新，对于我国半导体材料领域企业做大做强是一个有益的探索。

资本横合 推进光刻胶技术创新

光刻胶，又名光阻剂，是半导体芯片制造领域的核心材料之一，在半导体晶圆生产中不可或缺。根据北京科华微电子董事长陈昕的介绍，2015年全球光刻胶市场预计将达14亿美元，2014年中国半导体制造用光刻胶市场约为15.41亿元，而且未来的成长空间十分广阔。北京科华在02专项扶持下建成了248nm光刻胶研发与测试平台和中试生产线，产品现已通过中芯国际认证获得商业订单。在6英寸及以下市场中，科华已经占有20%的市场份额，8英寸科华的产品开始进入市场，12英寸科华也有进入计划。

南大光电副总裁许从应则表示，南大光电通过对北京科华的1.23亿元投资，将帮助北京科华全面、快速推动248nm光刻胶产业化的进程。在现有基础上将打造中国高端光刻胶研发和产业化平台，致力于推动中国高端光刻胶的快速发展。

不过，总体而言，在半导体用材料方面，近年来我国企业虽在部分领域取得一定进展，但总体产品销售收入仍然较低，多集中于中低端，且存在大量市场空白。对此，集成电路材料产业技术创新战略联盟秘书长石瑛指出：“我国半导体材料企业仍然存在产业规模小，产品档次偏低的问题。”通过市场机制引导国内优势产业资源整合，解决目前产业规模小、经营产品同质问题，提高产业技术创新能力，是未来我国推进半导体材料产业做大做强的重要途径之一。

研发193nm添补产业空白

除继续加强248nm光刻胶产品开发及产业化外，北京科华与南大光电还将向应用更加广泛的193nm光刻胶产品研发推进。

半导体光刻胶种类繁多，分类方法也较多。目前市场上已得到实际应用的主要半导体光刻胶，从曝光波长来分，可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）和ArF（193nm）4个种类。“随着12英寸先进技术节点生产线增多，多次曝光工艺的应用，193浸没式光刻胶的需求量将快速增加。”许从应指出。实际上，这种分类也正反映了半导体光刻胶材料技术应对市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，通过提高极限分辨率从而达到高密度集成的发展过程。

“北京科华248nm光刻胶项目成功，为193nm光刻胶产业化提供了工程化团队与工程化技术的基础。193nm光刻胶在国际上是成熟产品，在现有基础上，通过国家支持以及北京科华和南大光电合作，引进人才等措施，193nm光刻胶产业化项目的成功是大概率事情。”许从应表示。

193nm光刻胶主要包括干式和浸没式两类。到2020年，中国的光刻胶市场规模预计为3.73亿美元，其中193nm光刻胶的市场在2020年大约1.83亿美元，干式市场规模约为0.72亿美元，浸没式约为1.1亿美元。

根据北京科华与南大光电的计划，2016年~2017年将完成193nm干式光刻胶的研发工作，产品达到客户送样验证要求，2018年产品通过客户验证；在193nm浸没式光刻胶方面，2017年~2018年完成研发工作，达到客户送样验证要求，2019年~2020年产品通过客户使用验证，而后逐渐形成批量销售。

（来源：中国电子报）