在日前于加州圣荷西市举行的国际光学工程学会(SPIE)先进微影技术研讨会上，应用材料公司(Applied Materials)推出首创的产线用 3D 临界尺寸量测扫描式电子显微镜(3D CD SEM)量测系统—— Applied VeritySEM 5i ，在测量 3D 快闪记忆体(3D NAND)和鳍式场效电晶体(FinFET)元件的高深比及复杂功能上，能有效克服瓶颈。

最新的 Applied VeritySEM 5i 系统提供先进的高解析度影像及背向散射电子(BSE)技术，可实现优异的产线 CD 控制。使用 VeritySEM 5i 系统，可加速晶片制造商制程开发及产量提升，改善量产后的元件效能及良率。

应用材料公司企业副总裁暨制程诊断与控制事业处总经理依泰·罗森费德(Itai Rosenfeld)表示：“复杂的 3D 结构需要新的测量维度，对量测技术的要求也因此更高，持续仰赖传统的 CD SEM 技术来测量 3D元件，几乎已不可行。以应用材料公司先进的电子束技术及影像处理的专精，这套机台所提供影像技术的创新，能针对元件进行快速精确的 CD SEM 量测，让客户在研发、产能扩充和量产过程中，得以观察、测量和控制 3D 元件。

此外，“多家客户均因采用这套机台而从中受惠，明显提高新式 3D 元件的良率。晶片制造商必须持续追求精密量测控制的新能力，才能转移至 3D 架构并进入10 奈米以下的技术。”

日渐复杂的高效能高密度 3D 元件需要创新的精准量测，才能有效提高元件效能、减少变异性，进而提升良率。先进的高解析度 SEM 电子腔、倾斜式电子束和 BSE 影像，赋予了 VeritySEM 5i 系统独一无二的 3D 量测能力，能为最重要且具挑战性的 FinFET and 3D NAND 结构进行产线测量和监控。尤其适用于底部临界尺寸(CD)的 BSE 影像，让晶片制造商得以确保底层与叠覆金属层间能够正确连结。

在控制 FinFET 侧壁和闸极与鳍片高度方面，微小的变异量即会对元件效能和良率造成影响，而 VeritySEM 5i系统的倾斜电子束可提供精确且稳定的线上测量。高解析度 BSE 能强化垂直方向高深宽比的灵敏度，方便为非对称侧壁及 3D NAND 元件的 CD 底部进行测量，其深宽比可达60:1以上。

（来源: eettaiwan）